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ۼ Ʈ ۼ 2024-02-14
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A-1 ÷∙∙ ʱ1), 1), ȯ2)* 1)2)б Horizontally aligned multiple blue InGaN/GaN microrod LEDs onto flexible substrate and its operation
A-2 LED/÷/߱  1), 1), ʱ1), 2), ȯ1),2)* 1)2)б LSP ̿ AlGaInP LED
A-3 LED/÷/߱  ۿ*, ÿ, μ, ֽ, ȣ ѱ ÷̿ ü
A-4 LED/÷/߱  Taehwan Kim, Yeong-Hoon Cho, Pil-Kyu Jang, Seungjae Baek, Sang-Bum Kim, In-Hwan Lee* Korea University Improved Quantum Efficiency in Individually Aligned InGaN/GaN Nanorod LEDs via Self-Assembled Ag Nanoparticles
A-5 LED/÷/߱  1), 2), 1)* 1)KAIST2)KIST ȭ ۽ī ⿡
A-6 LED/÷/߱  Abu Bashar Mohammad hamidul Islam1), Hyeondong Lee1), Yu-Jung Cha1), Jae Won Seo1), Jiun Oh1), Minji Kim1), Jong-In Shim2), Dong-Soo Shin2), Joon Seop Kwak1)*  1)KENTECH2)Hanyang University Strain relaxation in InGaN/AlGaN near ultraviolet light-emitting diodes: Effect of quantum barrier thickness
A-7 LED/÷/߱  Shao Guanning1), ȫ1)* 1)б All-solution processed green quantum-dot lighting device with PEDOT:PSS:PMA p-type conducting layer 
A-8 LED/÷/߱  Weiwei Xiang, Yongbin Hua, * б WLED ߱ Ca4Nb2O9:Eu3+ ü ռ Ư
A-9 LED/÷/߱  ̻1), 1), ΰ1),2)* 1)2)ѱдб ȯ ȿ 1 ڰ 𵨸
A-10 LED/÷/߱  1,2), ȣ3), ؼ2), ö2), 2)* 1)б2)ѱб3)б  Highly Efficient Top-Emitting Infrared-to-Visible Up-Conversion Device Using Micro-Cavity Effect
A-11 LED/÷/߱  1), ż1), 1), 1), ּ1), Ͽ1), ̵1)* 1)ְб  InGaN based Blue Micro LED Double-Layer passivation ȿ
A-12 LED/÷/߱  1), ּ1), 1), 1), 1), ̵1)* 1)ְб SiO2, SiNx, W ü ũ ̿ LED 񱳺м
A-13 LED/÷/߱  ۿȣ1), ⿵1), 1)* 1)KAIST GaN/InGaN ڿ칰 ° ε ġ
A-14 LED/÷/߱  ȿ1),2), ǿ2),, ȣ2) 4) μ1) 5) 5) 6) ̵â3) 2),3) 1)* 1)Ѿб2)հб 3)б4)ѱб5)ѱڱ6)б ALD-Based Multinary Metal Oxide Electron Transport Layer for Quantum Dot Light-Emitting Diode
A-15 LED/÷/߱  ̽¹1), ̼1), Ȳ2), 缺3), ڻ* 1)2)âб3)ѱ Self-assmbled monolayer-V2O5 ̿ ڰ ȭ
A-16 LED/÷/߱  ҿ1), 1), 1), ȫ1)* 1)б εԷ InGaN/GaN ߾ڿ칰 ߱
A-17 LED/÷/߱  ¿1), 輺1)* 1)װб  Reversible and Electrotunable Assembly/Disassembly of Plasmonic Nanoparticles
A-18 LED/÷/߱  , , , ŵ* Ѿб LED ξȿ ± ǥ鴩 ġ
A-19 LED/÷/߱  , ŵ, * Ѿб InGaN/GaN û Micro-LED 뷮- Ư м
A-20 LED/÷/߱  ϱ, λ, ŵ, * Ѿб Ǵ м Eu:GaN LED м
A-21 LED/÷/߱  , λ, ŵ, * Ѿб ҿ ũ LED ȿ ȭ м
A-22 LED/÷/߱  1), ȣ1), 輺1)* 1)װб The Isomer Chemistry of Magic Sized Clusters
A-23 LED/÷/߱  ڿ1), Ŵ1), 1)* 1)2)հб  ܼ ڿ ݷ̵ Ȱ
A-24 LED/÷/߱  ְ1), Hachi V. Tran1), 1) 1)* 1)հб  ܼ Ȳȭ ũŻ м
A-25 LED/÷/߱  1), ֿȣ2), ȿ1), ȣ2), 2)3), 1)* 1)Ѿб2)հб ZnMgO Nanoparticles via Ultrasonic-Assisted Synthesis for InP-based QD-LEDs
A-26 LED/÷/߱  1), 1), 2), 翵1), 1), ̽1), ȣ2), ̵1)* 1)ְб 2)ѱб  2 GaN homoepitaxy ڸ
A-27 LED/÷/߱  1), 뿵1), ٰٽ1), 輺1), ̹μ1), ѽ1), ż, ȫ, ö1), ȣ1)* 1)ϴб  Non-polar core-shell AlGaN nanorod LED devices operating in ultraviolet wavelength region
A-28 LED/÷/߱  1),2), ȫ1)* 1)б 2)б  Fabrication of GaN Nanorods Using Metal-Assisted photoChemical Etching
A-29 LED/÷/߱  ڿ1), â1), ȣ2), 輱2), ȯ1,2)* 1)2)б  Low-Temperature growth of GaN with Adatom Migration Enhancement
B-1 //  ±1), 1), 2), Ӽ2), 1,2)* 1)2)ѱдб Ʃ Pt NO2
B-2 //  ؿ1), 1), 2), Ӽ2), 汹1,2)* 1)2)ѱдб UV ȭ 뱸 ± H2
B-3 //  1, ɱԹ2, 뼺2, 輺1* 12װб Controlling the Surface of Ag2S Nanocrystals for High-Performance Photomultiplication-Type Photodiode
B-4 //  ȿ1,2), Pratik Mane2), Vishal Burungale2), 1), ؼ2)* 1)ѱ 2)б  graphitic carbon nitride(g-C3N4) ̿ һ Cu2O ȿ
B-5 //  ̴ٿ1),1)* 1)ϴб Lithiatable thin SnOX film deposited by ALD for Li metal battery
B-6 //  ȣ1), ȣ1), 2), 1), ȫ1), 1), 2), 谡3)* 1)2)ѱ 3)ϴб Study on the Link Between Amorphous Silicon-Based Surface Passivation and Varied Si-H Configurations in Silicon Solar Cells
C-1 /ý/  ¸1), ȣ1), 輺2), 1)* 1)ѱдб 2)Orbray Co. High performance Diamond Schottky barrier diode grown on heteroepitaxial diamond substrate using microwave plasma chemical vapor deposition
C-2 /ý/  ö, , ֿ, , þϸ, * ѱдб Vertical PiN Diode intrinsic AlGaN Drift layer
C-3 ڡýۡ  Gyeong Ryul Lee, Cheolho Yang, and Roy Byung Kyu Chung* 1) Kyungpook National University ȭݵü LED
C-4 ڡýۡ  Yoonho Choi,1 Chan Woong Kim,1 Ha Young Kang,1 and Roy Byung Kyu Chung,1,* 1) Kyungpook National University Investigation of structural and electrical properties of F-doped -Ga2O3
C-5 ڡýۡ  1), 1)* 1)ϴб Interface Engineering of Gallium Oxide Polymorphs 
C-6 /ý/  輱â1), ڼ1), 1)* 1)ϴб Developing of Tin Oxide TFTs for Monolithic 3D Integration
C-7 /ý/  1,), 迵1,), 2), 缺3), 汹1,2)* 1)2)3)ѱдб ȭ ڸ Ʈ Metal Capping layer Ư
C-8 /ý/  1,2), ȯ3), 1), 1), ±3), ÿ1)* 1)ѱͱ2)3)λб  ̾ ̼ ȭ ռ ̾Ƹ ڸ
C-9 /ý/  1, 1), ÿ1), 1)* 1)ѱͱ EFG ȭ ܰ 忡 Ȱ 뿡 ߹ؼ
C-10 /ý/  Nhat-Minh Phung1,2), Si-Young Bae1), Soonil Lee2), and Seong-Min Jeong1),* 1)KICET2)Changwon National University Experimental kinetic approximation of HfO2 Atomic Layer Deposition using CpHf(N(CH3)2)3 as Hf source
C-11 /ý/  1)*, 赿1), 1), Ź1), 1), 1), 赿1), 輺1) 1)ѱſ GaN-on-GaN PiN Diode ¹ݵü
C-12 /ý/  μ1,2, ȣ1, ȣ1, ڹμ2*, ÿ1,*, 1)ѱͱ 2)ƴб ̽Ʈ ȭб ȭ ڸ Ư Ƭ ġ ȿ 
C-13 /ý/  ֹ1,2), ȫ3), 1), ÿ1), 1)* 1)ѱͱ 2)λб3)泲б EFG Ÿ ȭ ܰ м
C-14 /ý/  Ź, , 赿, , , 赿, 輺, * ѱſ ȭ current aperture vertical electron transistor
C-15 /ý/  赿1),2), ȫ1), 輺2),2)* 1)ϴб 2)ѱſ GaN ¹ݵü p GaN
C-16 /ý/  Soo-Young Moon1),2), Hyun-Woo Lee1),2), Sang-Mo Koo1), Sung-Beum Bae2) and Hyung-seok Lee2) 1)Kwangwoon University 2)ETRI Design and Simulation of Enhanced Power Devices: Integrating GaN FinFETs with NiO for Improved Performance
C-17 /ý/  Ͽ1), 1)* 1)ϴб Single-Phase Growth and Single-Domain Formation of Orthorhombic Ga2O3: Influence of Dopants and Theoretical Insights
D-1 //Ű 1), 2),1)* 1)KAIST2)KIST е InAlAs/Al40Ga60As ü ڱ- Ư
D-2 //Ű 1), ۿȣ1), 1)* 1)ѱб ̾ ȭ GaN ܱ Ư ȭ
D-3 //Ű ȫ1,*, 1, Disha Talreja2, Padma Gopalan3, Luke Mawst2 1)ѱ 2)3)Univ. of Wisconsin Structural and Optical Characteristics of Selectively Grown InxGa1-xAs quantum dots using diblock copolymer lithography
D-4 //Ű 豸ȯ1),2)*, Tetiana V. Slusar1), ȫ1), ȣ1), 1), 1), 1), 1), 1), μ1), ̸2), 1) 1)ѱſ2)հб Generating entangled photon pairs in thin-film lithium niobate for quantum communication
D-5 //Ű õ1), 1)* 1)ִб
D-6 //Ű Roni Rahmat, Yong-Hoon Cho* KAIST Self-rolled-up SiO/SiO2 Microtube from Prestrained Nanomembrane by Wet-etching Method
D-7 //Ű ٿ1), 2), 1), 1), ź2), 1)* 1)2)ѱб ܱ зκ꽺īƮ ũŻ ö Ÿ ijƼ
D-8 //Ű 1), ִ뱤2), 3), 1)* 1)ѱб2)б3)ѱб GaAs 1 İ ü ӹڻ ȣۿ
D-9 //Ű 1), 2), 1)* 1)ѱб2)ѱб ȭ ũ Ư :긮 ӻ ȸ
D-10 //Ű ̿1),2)*, Ȳ1), 1),2), Ӽҿ1),2), 1),2)  1)ѱſ 2)бմпб Tl2Ba2CaCu2O8/Bi2Se3 ȭ Ư
D-11 //Ű 1), 1), 1), 躴1), ٿ1), 2), ź2), 1)* 1)2)ѱб յ κ꽺īƮ ̿ ġ ܱ
D-12 //Ű ڼ1), 1)* 1)ѱб ݼ
D-13 //Ű 1),2)*, Ȳ1), Ӽҿ1),2), 1),2), ̿1),2)  1)ѱſ 2)бմпб  Bi ũĿ ȭ Bi2Se3 ڸ
D-14 //Ű 1)*, ȫ2) 1)ѱſ2)б ⱸ Ȯ ϱ ߱
D-15 //Ű ȣ1), 1), ŵ1), 1)* 1)б Propagation length enhacement of guided exciton–polaritons in hBN integrated WS2 multilayers
E-1 //м Ȳ1), ȼ1), 1), ⿵1), 1)* 1)ѱб ȭ İ ̿ AlGaN/GaN ü ũ Ʃ ۰ Ư м
E-2 //м ְ1), 缱1), 1), 1), 1), 1), ӽ¿2), 1)* 2) 1)ִб2)ť SERS ʸ ̿ GaN ǥ ö м
E-3 //м 1), 1), 缱1), ְ1), 1), 1), ӽ¿2), 1,2)* 1)ִб2)ť Analysis of surface damage in GaN epi layers using SERS
E-4 //м Gaeun Cho1),2),Dongeon Kim1), Se-Woong Baek1)*and Han Seul Kim3),4)* 1)Korea University2)KISTI3)4)Chungbuk National University Synergistic Passivation Strategy with a First Principles calculation ; Enhancing Optoelectronic Device Performance of AgBiS2 Colloidal Quantum Dots
E-5 //м , ŵ, * 1)Ѿб GaN û ũ LED ũ⿡ Ư м
E-6 //м Dongho Lee1) Han Seul Kim1)* 1)Chungbuk National University Theoretical design of a multi–modal gas sensor for selective detection of NH3 and NOx using a Bismuth-based lead-free metal-halide perovskite